Об этом курсе

Недавно просмотрено: 11,565
Сертификат, ссылками на который можно делиться с другими людьми
Получите сертификат по завершении
100% онлайн
Начните сейчас и учитесь по собственному графику.
Курс 3 из 3 в программе
Гибкие сроки
Назначьте сроки сдачи в соответствии со своим графиком.
Продвинутый уровень
Прибл. 12 часов на выполнение
Английский

Преподаватели

Сертификат, ссылками на который можно делиться с другими людьми
Получите сертификат по завершении
100% онлайн
Начните сейчас и учитесь по собственному графику.
Курс 3 из 3 в программе
Гибкие сроки
Назначьте сроки сдачи в соответствии со своим графиком.
Продвинутый уровень
Прибл. 12 часов на выполнение
Английский

от партнера

Placeholder

Колорадский университет в Боулдере

Сделайте шаг навстречу диплому магистра.

курс входит в онлайн-программу ''Master of Science in Electrical Engineering' от партнера Колорадский университет в Боулдере. Если вы переходите на полную программу, курсы засчитываются при получении диплома.

Программа курса: что вы изучите

Неделя
1

Неделя 1

4 ч. на завершение

Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) Device

4 ч. на завершение
8 видео ((всего 90 мин.)), 3 материалов для самостоятельного изучения, 1 тест
8 видео
MOS at Equilibrium10мин
Basic Operation of MOS13мин
Analysis of MOS Operation9мин
Analysis of MOS Operation (Part 2)10мин
MOS in Non-Equilibrium15мин
Capacitance-Voltage Characteristics13мин
Non-Ideal MOS14мин
3 материала для самостоятельного изучения
Module Topics2мин
Materials and Physical Constants10мин
Equation sheet10мин
1 практическое упражнение
Homework #1
Неделя
2

Неделя 2

3 ч. на завершение

MOS Field Effect Transistor (MOSFET)

3 ч. на завершение
7 видео ((всего 65 мин.)), 3 материалов для самостоятельного изучения, 1 тест
7 видео
Basic Operation of MOSFET12мин
Advanced Operation of MOSFET 19мин
Advanced Operation of MOSFET 28мин
Short Channel Effects 18мин
Short Channel Effects 212мин
Short Channel MOSFET5мин
3 материала для самостоятельного изучения
Module Topics2мин
Materials and Physical Constants10мин
Equation sheet10мин
1 практическое упражнение
Homework #2
Неделя
3

Неделя 3

5 ч. на завершение

Bipolar Junction Transistor (BJT)

5 ч. на завершение
6 видео ((всего 79 мин.)), 3 материалов для самостоятельного изучения, 2 тестов
6 видео
Base-Emitter Current12мин
Basic Operation of BJT9мин
Heterojunction Bipolar Transistor (HBT)16мин
Non-Ideal Behavior13мин
Frequency Response10мин
3 материала для самостоятельного изучения
Module Topics2мин
Materials and Physical Constants10мин
Equation sheet10мин
1 практическое упражнение
Homework #3

Специализация Semiconductor Devices: общие сведения

Semiconductor Devices

Часто задаваемые вопросы

Остались вопросы? Посетите Центр поддержки учащихся.