This course can also be taken for academic credit as ECEA 5632, part of CU Boulder’s Master of Science in Electrical Engineering degree.
Этот курс входит в специализацию ''Специализация Semiconductor Devices'
Оценки: 55
9 231 уже зарегистрированы
от партнера
Специализация Semiconductor DevicesКолорадский университет в БоулдереОб этом курсе
Недавно просмотрено: 5 647
Гибкие сроки
Назначьте сроки сдачи в соответствии со своим графиком.
Сертификат, ссылками на который можно делиться с другими людьми
Получите сертификат по завершении
100% онлайн
Начните сейчас и учитесь по собственному графику.
Курс 3 из 3 в программе
Продвинутый уровень
Прибл. 12 часов на выполнение
Английский
Субтитры: Французский, Португальский (Европа), Русский, Английский, Испанский
Гибкие сроки
Назначьте сроки сдачи в соответствии со своим графиком.
Сертификат, ссылками на который можно делиться с другими людьми
Получите сертификат по завершении
100% онлайн
Начните сейчас и учитесь по собственному графику.
Курс 3 из 3 в программе
Продвинутый уровень
Прибл. 12 часов на выполнение
Английский
Субтитры: Французский, Португальский (Европа), Русский, Английский, Испанский
от партнера
Колорадский университет в Боулдере
CU-Boulder is a dynamic community of scholars and learners on one of the most spectacular college campuses in the country. As one of 34 U.S. public institutions in the prestigious Association of American Universities (AAU), we have a proud tradition of academic excellence, with five Nobel laureates and more than 50 members of prestigious academic academies.
Сделайте шаг навстречу диплому магистра.
курс входит в онлайн-программу ''Master of Science in Electrical Engineering' от партнера Колорадский университет в Боулдере.
Если вы переходите на полную программу, курсы засчитываются при получении диплома.
Программа курса: что вы изучите
4 ч. на завершение
Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) Device
In this module on MOS devices, we will cover the following topics:, MOS device structure, energy band diagram for MOS device at equilibrium, Flat band condition, Accumulation, Depletion, and Inversion of MOS under bias, Energy band diagram and charge distribution for MOS in inversion, Quantitative model and relevant parameters, Energy band diagram with channel bias, Inversion layer charge, and Effect on threshold voltage of MOS in non-equilibrium, C-V characteristics: Charge distribution under different biasing conditions, C-V characteristics: Frequency dependence, Effects of oxide charge on flat band and threshold voltages in non-ideal MOS, and Types of oxide charge in non-ideal MOS.
4 ч. на завершение
8 видео ((всего 90 мин.)), 4 материалов для самостоятельного изучения, 1 тест
3 ч. на завершение
MOS Field Effect Transistor (MOSFET)
In this module on MOSFETs (metal-oxide semiconductor field effect transistors), we cover the following topics: History of development of MOSFETs, Device structure, Device types, Circuit symbols, Long channel theory, I-V characteristics, Modes of operation, Channel length modulation, Body bias effect, Bulk charge effect, Sub-threshold conduction, Source/drain charge sharing in short channel devices, Drain induced barrier lowering, Subsurface punchthrough, Mobility degradation, Velocity saturation, Drain current saturation, Scaling of drain current with channel length, and Scaling of speed with channel length.
3 ч. на завершение
7 видео ((всего 65 мин.)), 3 материалов для самостоятельного изучения, 1 тест
5 ч. на завершение
Bipolar Junction Transistor (BJT)
In this module on BJTs (bipolar junction transistors), we will cover the following topics: BJT Device structures, Energy band diagrams, Active bias, Leakage current, Recombination in base, Hoe injection, Non-uniform doping in base, Current gain, Switching with BJT, Single heterojunction bipolar transistor, Double heterojunction bipolar transistor, Non-uniform material, Early effect, Emitter bias dependence, High-level injection, Base, emitter and collector transit times, and RC time constant.
5 ч. на завершение
6 видео ((всего 79 мин.)), 3 материалов для самостоятельного изучения, 2 тестов
Специализация Semiconductor Devices: общие сведения
The courses in this specialization can also be taken for academic credit as ECEA 5630-5632, part of CU Boulder’s Master of Science in Electrical Engineering degree. Enroll here.
Часто задаваемые вопросы
Когда я получу доступ к лекциям и заданиям?
Что я получу, оформив подписку на специализацию?
Можно ли получить финансовую помощь?
Остались вопросы? Посетите Центр поддержки учащихся.
